その他業績

Patent (特許)

特許第3841592号 (2006年8月18日)
出願番号：特願平11-224715　（1999年8月6日出願）
公開番号：特開2001-48699　（2001年2月20日公開）
発明者：河野日出夫・竹田精治
発明の名称：シリコンナノ結晶球体チェーンの製法
出願人：科学技術振興事業団
特許権者：科学技術振興事業団

Awards (受賞)

河野日出夫
第24回本多記念研究奨励賞（２００３年）
「新しいシリコンナノ構造の発見」

河野日出夫
平成 12 年度風戸研究奨励金
「シリコンナノ結晶チェーンの電子顕微鏡観察と物性評価」

Invited Talks (招待講演)

河野日出夫
ナノワイヤのジュール加熱による構造変化のTEMその場観察
格子欠陥フォーラム、マホロバ・マインズ三浦、2012年9月

Hideo Kohno
New routes to carbon nanostructures
7th Handai Nanoscience and nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, Nov. 2011.

河野日出夫
TEM-STMによるナノ結晶成長と伝導特性の進展
東北大学金属研究所ワークショップ、東北大学金属研究所、仙台、2011年10月

河野日出夫
ナノワイヤの電顕内ジュール加熱によるカーボンナノ構造生成
日本顕微鏡学会関西支部特別企画講演会、産業技術研究所関西センター、大阪、2010年12月

河野日出夫
ジュール加熱によるナノワイヤ構造変化のTEMその場観察
日本顕微鏡学会第54回シンポジウム、金沢市民文化ホール、2010年11月

河野日出夫
SiおよびSiCの自己形成ナノ構造とゆらぎ - SiC金平糖、Siナノチェイン、SiCナノワイヤ
CVD研究会第20回夏季セミナー、京都、2009年8月

河野日出夫
半導体ナノ結晶成長と欠陥、ゆらぎ
格子欠陥フォーラム、東北大学金属材料研究所、2008年9月

河野日出夫、竹田精治
鉄シリサイドおよびシリコン系諸物質の自己形成ナノワイヤ
第１０回シリサイド系半導体研究会、東京工業大学、2007年3月

"Silicon nanochains: growth mechanism and properties"
H. Kohno
International Symposium on the Creation of Nanomaterials, Osaka, Japan January 2004

河野日出夫
自己形成による半導体・絶縁体ナノ周期構造
日本電子顕微鏡学会、大阪国際交流センター、2002年5月

河野日出夫、H. Hieslmair, A. A. Istratov, E. R. Weber
シリコン中の鉄ドナー準位の温度依存性
応用物理学会関西支部セミナー、島津製作所関西支社マルチホール、2000年10月

Press Releases (新聞発表等)

日刊工業新聞 2009.08.28
「ワイヤ状のナノ材料に電圧カーボンナノチューブに変身阪大電子回路の配線期待」

日刊工業新聞 2008.06.26
「炭化シリコン粒子阪大、金平糖型を確認有機金属化学気相成長で」

日刊工業新聞 2004.01.19
「ナノチェーン内に化合物シリコンと銅、阪大が成功簡便な手法で新複合体」

日刊工業新聞 2002.04.05
「シリコンナノニードル触媒と熱処理で作製阪大成長方向もほぼ一定」

朝日新聞 2001.08.24
「シリコンからナノネックレス」

EETimes 2001.08.22
"Nanochains could yield single-electron transistors"

日刊工業新聞 2001.08.22
「シリコン結晶ナノ球体チェーン石英管加熱手法で簡便に大量作製実現」

日刊工業新聞 2001.08.07
「シリコン球体チェーン直径2ナノで量産阪大単電子素子に応用」

日刊工業新聞 2001.07.13
「阪大極細のシリコンひも 2-3ナノ、素子などへ応用」