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SiCナノワイヤの成長においては、様々なゆらぎが顕在化します。直径の不規則な変動(直径変動ランダムウォーク)と、格子欠陥の不規則な生成(積層シーケンスランダムウォーク)です。私達は、そのゆらぎの統計的性質とその起源、さらにはそれらゆらぎがナノワイヤの物理的性質に及ぼす影響を、電子顕微鏡観察にもとづいて研究しています。 単純なガウス型ランダムウォークではなく、べき則やマルチスケーリング性が見出されました。
直径変動ランダムウォークとその多重アフィン性
高分解能透過型電子顕微鏡像から読み取った、積層シーケンスランダムウォーク。これも多重アフィン性を示します。また、興味深い変動分布を持つことも分かりました。